| 大 小： | 类 型： | 超声波技术论文 |  |
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| 发 布： | 2008-03-07 14:55:46 | 星 级： |  |
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| 授 权： | 共享 | 语 言： | 简体中文 | |
| 作 者： | jekey111 | 浏览： | 次 | |
| 运行平台： | Windows 98, Windows NT, Windows Me, Windows 2000, Windows XP, Windows 2003, Windows Vista | |||
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| 大 小： | 类 型： | 超声波技术论文 | |
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| 发 布： | 2008-03-07 14:55:46 | 星 级： | |
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资料介绍
集成电路制造过程中的硅片清洗是指在氧化、光刻、外延、扩散和引线蒸发等工序前, 采用物理或化学的方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物, 以得到符合清洁度要求的硅片表面的过程。硅片清洗对半导体工业的重要性早在 50 年代初即已引起人们的高度重视, 这是由于硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性和成品率。随着集成电路由大规模向超大规模 (VL SI) 和甚大规模(UL SI) 发展, 电路的集成度日益提高、单元图形的尺寸日益微化, 污染物对器件的影响也愈加突出, 以致于洁净表面的制备技术已成为制作 64 和 256 兆字节DRAM 的关键技术。硅片表面的污染物通常以原子、离子、分子、粒子或膜的形式以化学或物理吸附的方式存在于硅片表面或硅片自身的氧化膜中。硅片清洗要求既能去除 各类杂质又不损坏硅片。清洗可分为物理清洗和化学清洗, 化学清洗又包括水溶液清洗和气相清洗等。由于有较多的方案可供选用, 价廉而安全, 对杂质和基体选择性好, 可将杂质清洗至非常低的水平等诸多优势, 水溶液清洗在清洗技术中一直占据主导地位下载地址